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半導體分立器件測試儀
電壓:200V
電流:10mA
控制,1電壓:20V
控制,1電流:10A
控制,2電壓:20V
控制,2電流:1A
電壓分辨率:1mV
電流分辨率:1nA
測試速度:器件不同速度也不同
試器件種類
二*管
穩(wěn)壓(齊納)二*管
晶體管(NPN型/PNP型)
可控硅整流器(普通晶閘管)
雙向可控硅(雙向晶閘管)
MOS場效應管(N-溝/P-溝)
結型場效應管(N-溝/P-溝,耗盡型/增強型)
光電耦合器
,參數(shù)
漏電參數(shù):IR、ICBO、LCEO/S、IDSS、IDOFF、IDGO、ICES、IGESF、IEBO、IGSSF、LGSSR、IGSS、IR(OPTO)
擊穿參數(shù): BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)
BVDSS、VD、 BVCBO、VDRM、VRRM、VBB
BVR、VD+、VD-、BVDGO、BV Z、BVEBO、BVGSS
增益參數(shù):hFE、CTR、gFS
導通參數(shù):VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode) 、VGSTH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON
關斷參數(shù):VGSOFF
觸發(fā)參數(shù):IGT、VGT
保持參數(shù):IH
鎖定參數(shù):IL
混合參數(shù):rDSON、gFS
測試盒說明:
測試盒共有五種:
1:可測二,管、穩(wěn)壓二,管;
2:可測封裝為TO-92、TO-220等三個管腳在一個平面上的三端器件;
3:可測封裝為TO-3及,封裝為F1、F2、F3、F4三端器件;
4:可測三個管腳分三角形排列,且器件殼體為小圓型的小功率三端器件;
5:可測DIP4、DIP6、DIP8封裝的光電耦合器;
測試夾具:
測試夾具有三根夾子線,與測試盒1配合使用,用來測試器件形狀,不能使用上述五種測試盒上的插座,則使用此三個夾子線直接夾在器件的管腳上進行測試。
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數(shù)顯式電阻真空計
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